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      1. 打造10納米級制程試產線 南亞科增加約16億元資本支出
        發布日期:2020-05-13        



        根據存儲器大廠南亞科的最新重大訊息公告指出,南亞科董事會于6日決議,將追加新臺幣65.6億元(約合人民幣15.5億元)的資本支出預算,用以打造10納米級制程產線。

         

        此前南亞科董事會決議,在年度資本支出的部分,南亞科2020年度資本支出預算以不超過新臺幣92億元為上限,其中包含10納米級制程研發、試產及20納米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算,預計2020年度的資本支出預算交以不超過157.6億元為上限。

         

        事實上,南亞科總經理李培瑛在上一季法說會上就已經宣布,南亞科已完成自主研發10納米級DRAM生產技術,并且將在2020年下半年試產。而南亞科新成功開發出的10納米級DRAM生產技術,預計將使DRAM產品可持續微縮至少3個世代。而第一代的10納米級產品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主制程技術及產品技術平臺上,并預計2020下半年進入產品試產階段。

         

        至于第二代10納米級制程技術,已開始進入研發階段,預計2022年前導入試產,之后將會再開發第三代的10納米制程技術。李培瑛強調,南亞科進入10納米級制程之后,會以自行研發的技術為主,降低授權費用支出,以大幅提升效能。

         

        目前以全球DRAM存儲器市場來說,其主要生產技術掌握在韓國三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業的手中,而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上,其關鍵原因就在于3家企業的技術專利形成了極高的門檻,使其他公司不容易有機會進入市場。

         

        而當前南亞科現在以20納米級的技術為主力,技術來源為過去的合作伙伴美光,而且每年也支付美光相關技術授權費用。而隨著南亞科導入自主的10納米級制程技術之后,則未來將不再大幅度仰賴美光授權,使得高昂授權費支付的情況也可以減少,有利于南亞科往后的營運發展。


        來源:SEMI
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